TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES LOGIQUES
1ère Partie
Le Silicium, dopage, réalisation des circuits intégrés |
| I - 1 | RAPPELS SUR LA JONCTION | 1 |
| I - 1 - 1 | Atome, liaison atomique | 1 |
| I - 1 - 1 - 1 - | Les gaz rares | 1 |
| I - 1 - 1 - 2 - | Les liaisons métalliques | 2 |
| I - 1 - 1 - 3 - | Les liaisons ioniques | 2 |
| I - 1 - 1 - 4 - | Les liaisons covalentes | 3 |
| I - 1 - 2 - | Les Semi-Conducteur | 3 |
| I - 1 - 2 - 1 - | Le silicium dopé "N" | 3 |
| I - 1 - 2 - 2 - | Le silicium dopé "P" | 3 |
| I - 1 - 3 - | La jonction PN | 4 |
| I - 1 - 4 - | La jonction Métal Semi-Conducteur | 6 |
| I - 2 - | LE TRANSISTOR BIPOLAIRE | 7 |
| I - 3 - | LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP | 8 |
| I - 3 - 1 - | Le transistor à effet de champ à jonctions JFET | 8 |
| I - 3 - 2 - | Le transistor à effet de champ MOS à appauvrissement (Déplétion ) | 10 |
| I - 3 - 3 - | Le transistor à effet de champ MOS à enrichissement ( Enhancement ) | 11 |
| I - 4 - | LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES | 11 |
| I - 4 - 1 - | La réalisation des monocristaux de Silicium | 12 |
| I - 4 - 2 - | La purification des monocristaux de Silicium | 13 |
| I - 4 - 3 - | Sciage des plaquettes de Silicium | 13 |
| I - 4 - 4 - | Dopage du Silicium | 13 |
| I - 4 - 4 - 1 | Nature des dopants | 13 |
| I - 4 - 4 - 2 | Techniques de dopage | 13 |
| I - 4 - 4 - 2 - 1 | L'épitaxie | 13 |
| I - 4 - 4 - 2 - 2 | Diffusion | 13 |
| I - 4 - 4 - 2 - 3 | Implantation ionique | 14 |
| I - 4 - 4 - 3 | Le masquage | 14 |
| I - 4 - 4 - 4 | L'oxydation | 16 |
| I - 4 - 4 - 5 | Les interconnexions et dépôts conducteurs | 16 |
| I - 4 - 4 - 6 | Réalisation des circuits intégrés à transistors bipolaires saturés | 16 |
| I - 4 - 4 - 7 | Réalisation des circuits intégrés à transistors MOS à enrichissement | 18 |
Un site interessant http://www.microelectronique.univ-rennes1.fr/fr/index_chap1.htm